２ナノ半導体の試作に成功＝報道陣に公開、量産へ節目―ラピダス

　次世代半導体の国産化を目指すラピダス（東京）は１８日、回路線幅２ナノメートル（ナノは１０億分の１）の半導体の試作に成功したと発表した。工場のある北海道千歳市内で、報道陣に試作品を公開した。小池淳義社長は記者会見し、目標とする２０２７年までの量産に向け「大きなマイルストーン（節目）を越えた」と述べた。

　試作したのは、電流を制御する「トランジスタ」という部品。小池氏は成功を「考えられないスピードだ」と評価した上で、「（顧客に）期待を持っていただけると確信している」と語った。同席した鈴木直道北海道知事は「きょうが歴史の大きな１ページになる」と強調した。